报告题目：宽禁带半导体GAN的超快光电研究
报告人：易觉民，研究员
时 间：9月28日下午14：00
地 点：15-401
参加人员：光电专业教师及全校其他感兴趣的学生以及教师
个人简介:
易觉民，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，项目研究员，2013年博士毕业于法国斯特拉斯堡大学。2013-2020年在德国奥尔登堡大学从事超快纳米光学博士后工作。长期以来一直从事少周期超快飞秒光电子学研究、并自行设计搭建超快光电子学表征测试系统。主要工作为在超快时间尺度-纳米空间维度上研究光-物质（非线性）相互作用。已在 Nature Commun.，Phys. Rev. Lett.， ACS Nano，Nano Lett.，ACS Photonics，Nanophotonics, Laser Photonics Rev.等国际知名学术期刊发表SCI论文30余篇，应邀撰写专著一章节。相关成果被Nature Photonics、Phys. Rev. Lett.等专文亮点报道。现主持国家重点研发项目课题、国家自然科学基金委面上项目等多个项目。
报告摘要: 宽禁带半导体材料与器件相较于传统半导体，可以在高温、高压、高场和高频下工作。近年来宽禁带半导体与超快飞秒激光相互作用被报道产生高次谐波非线性、非线性光电流等新的物理效应，在极紫外相干光源、超快光开关以及光电集成器件等领域具有潜在应用。我们工作聚焦于超快少周期飞秒激光与宽禁带半导体非线性瞬态动力学研究。采用 10飞秒宽谱少周期激光自行搭建非线性频率分辨自相关显微镜(interferometric frequency-resolved autocorrelation (IFRAC) microscopy)，发展了二维IFRAC和二维傅里叶光谱技术。采用双光子非线性吸收-折射泵浦/探测光谱技术，研究了束缚电子和载流子的超快瞬态动力学特性。研究微纳结构共振模与半导体增益介质的非线性耦合以及超快退相干时间，揭示GaN在双光子-三光子共激发下多光子荧光与相干非线性的瞬态动力学过程。
